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      技術(shù)文章

      電阻測量的定義-napson手持式電阻測量儀EC-80P

      通常,電阻(電阻)用于評估物質(zhì)或材料的電導(dǎo)率(導(dǎo)電性)。我認(rèn)為下面的Ω(Ohm)是電阻的評估標(biāo)準(zhǔn)(許多人在“歐姆定律”中都記得它)。

      電阻_(電阻)=Ω[讀數(shù):歐姆]

      ⇒表示電流難易度的單位

      R = V / I * V =電壓,I =電流

      由數(shù)字萬用表(絕緣電阻表)測量的絕緣電阻也通常以Ω單位表示。

      電阻單位還根據(jù)物質(zhì)或材料的形狀而適當(dāng)?shù)厥褂?,并且根?jù)測量目標(biāo)而主要使用,因?yàn)榇嬖卺槍γ總€行業(yè)的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(例如,JIS)的電阻單位。關(guān)于電阻的表示法是不同的。

      除了電阻[Ω],我們的電阻測量系統(tǒng)還支持以下兩種類型的電阻測量單位:電阻[Ωcm]和薄層電阻[Ω/□]。

       

      電阻=Ωcm[讀數(shù):歐姆厘米]

      *也稱為比電阻。

      ⇒物質(zhì)的“體積電阻值”

      它主要用于表示較厚物體的電阻,例如硅片,大塊以及導(dǎo)電橡膠和塑料。

      電阻:R的值由以下等式表示,其中ρ是電阻,L是導(dǎo)體的長度,A是導(dǎo)體的截面積。

      R =ρ×[L / A]

      因此,電阻值ρ由下式表示。

      ρ= V / I×[A / L]

      *單位為Ωcm時,值為1 cm x 1 cm x 1 cm的體積。根據(jù)測量目標(biāo)的不同,它可能以Ωm(歐姆表)表示。

       

      薄層電阻=Ω/□[讀數(shù):歐姆標(biāo)準(zhǔn)平方]

      *也稱為比電阻。

      ⇒物質(zhì)的“表面電阻值”

      它主要用于表示片狀材料(例如薄膜和膜狀材料)的電阻。

      一般而言,當(dāng)表示三維電導(dǎo)率時,電阻由下式表示。

      R =ρ×L / A = L / W×ρs

      假設(shè)樣品的長度:L和寬度:W是均勻的,則電阻:R和薄層電阻:ρs相等。

      薄層電阻:ρs也可以表示為通過將電阻:ρ除以厚度:t得到的值。

       日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀
      只需觸摸手持式探頭即可測量電阻。
      在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換
      使用JOG撥盤輕松設(shè)置測量條件
      連接到連接器的可替換電阻測量探頭可支持多種電阻
      (電阻探頭:多可以使用2 + PN判斷探頭)

       

      日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀

       

       

      測量規(guī)格

      測量目標(biāo)

      半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
      新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
      導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
      硅基外延,離子與
      半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
      其他(*請與我們聯(lián)系)

      測量尺寸

      無論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

       

      測量范圍

      [電阻] 1m至200Ω·cm 
      (*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
      [板電阻] 10m至3kΩ / sq 
      (*所有探頭類型的總范圍)

       

      *有關(guān)每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內(nèi)容。
      (1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
      0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
      (3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
      (4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
      (5)太陽能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)

      測量規(guī)格

      測量目標(biāo)

      半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
      新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
      導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
      硅基外延,離子與
      半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
      其他(*請與我們聯(lián)系)

      測量尺寸

      無論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

       

      測量范圍

      [電阻] 1m至200Ω·cm 
      (*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
      [板電阻] 10m至3kΩ / sq 
      (*所有探頭類型的總范圍)

       

      *有關(guān)每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內(nèi)容。
      (1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
      0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
      (3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
      (4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
      (5)太陽能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)

      日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀

      聯(lián)系人:林經(jīng)理
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